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    中国领先功率半导体器材研发取得重大打破。昨日，湖南省科技厅安排来自中国工程院、中国科学院、清华大学、同济大学等单位的院士、教授，在长沙对株洲南车年代电气股份有限公司自主研发的3300V轨迹交通用IGBT芯片进行了技能鉴定。教授组共同通过了该商品的技能鉴定，以为该技能和商品填补了国内大功率IGBT芯片技能空白，到达国际领先水平。

IGBT中文全名“绝缘栅双极型晶体管”，是功率半导体器材第三次技能革命的代表性商品，广泛应用于轨迹交通、航空航天、船只驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性工业范畴，被业界称为功率变流设备的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

与其他工业用IGBT比较，轨迹交通运用的大功率IGBT更具特殊性。因轨迹交通工具牵引负荷重、运转环境复杂多变，需求有关器材能接受刹那间高压大电流改变、能完成动态主动优化、极高的安全可靠性等特性，技能需求适当高。此前，这项技能首要操控在国外公司手中，国内尽管把握了有关商品的模块封装技能，但芯片规划及技术等要害核心技能仍然未打破。而由南车年代电气自主研发的3300V轨迹交通用IGBT芯片商品，在地铁和大功率电力机车上试用，别离安全安稳运转65万公里和50万公里，商品功能优秀。