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    中国自主研制的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块，今日经过教授判定。中国自此有了彻底自主的IGBT“中国芯”。

由中国北车规划开发的3300V/50A IGBT芯片，是国内首件自主规划制作的高压IGBT芯片，迈开了国产IGBT功率“芯脏”代替进口的脚步。

IGBT作为新一代功率半导体器材，具有驱动简略、操控简略、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等长处，是自动操控和功率改换的要害中心部件，被广泛应用在轨道交通配备、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电工业中。如在轨道交通范畴，牵引传动系统是动车组、机车等配备的中心部件，而IGBT又是牵引传动系统的中心部件，是“中心中的中心”。

选用IGBT进行功率改换，可以进步用电功率和用电质量，节能30%以上。

当前中国已经成为IGBT的最大消费国，年需求量超越75亿元，并且每年以30%以上的速度增加。有关材料猜测，到2020年，轨道交通电力牵引每年IGBT模块的市场规模不低于10亿元，智能电网不低于4亿元。

因为起步较晚、研制难度大，此前国内IGBT芯片规划首要会集在民用级1200V IGBT上，工业级和牵引级的高压大功率IGBT根本依靠进口。中国北车3300V IGBT芯片自主规划的成功，填补了这一范畴空白。

中国北车3300V IGBT芯片的自主开发成功，也标志着中国北车在高端IGBT范畴形成了规划制作、模块封装完好的工业链。 

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